记忆

24周年快乐,恩杜拉!!

24周年快乐,恩杜拉!!

Endura®系统被认为是历史上最成功的金属化的工具的半导体行业。自介绍以来,通过不断注入新的创新和工艺技术,它使客户能够将摩尔定律从.75微米节点提高到今天的亚20纳米节点,可以继续进行10纳米以下的设计。以及它提供的价值如何持续数十年,我想参考最近的VLSIresearch特性并强调一些要点。
向支持材料的3D转变

向支持材料的3D转变

每年,媒体发布年终评论和新年展望。固态技术,提供最新电子产品制造新闻的领先杂志,与半导体制造有关的分析和产品信息具有年度展望并邀请兰迪尔·塔库尔,执行副总裁,总经理,硅系统集团,betwayapp应用材料给出了他对2014年主要趋势的评估。他确定了转向20纳米的设计,FinFET晶体管和3D NAND作为改变游戏规则的创新,并讨论应用如何专注于提供精密材料工程解决方案,以应对推进这些技术所涉及的挑战。
betwayapp

亚20nm闪光灯是怎么回事??

本周我将参加在圣克拉拉的闪存峰会上的小组讨论,CA小组的主题,闪光灯低于20纳米:什么时间来临?,不能更及时。特别是鉴于一家领先的NAND制造商最近宣布,他们将在今年晚些时候开始大规模生产半导体工业的第一台3D垂直NAND闪存。
betwayapp

3DNAND:Flash的未来

随着第五届国际记忆研讨会(IMW)将于下周在蒙特利举行,CA I想指出最近一篇来自半导体制造和设计的文章。由于亚20nm制造工艺的单元到单元干扰问题威胁着NAND不会移动到较小的节点,NAND闪存市场的主要参与者是观察不同方法在3 d中实现NAND芯片架构。本文提供了一个很好的总结3 d与非客户采用的不同方法,当期望这些技术市场。
2013年:面对前所未有的精密工程挑战

2013年:面对前所未有的精密工程挑战

移动性是影响半导体产业发展的最大因素,也是芯片发展的主要驱动力。预计智能手机销量将超过7亿台,同比增长50%,平板电脑需求将超过1.1亿台,同比增长85%。为激增的移动市场制造芯片的竞争正在推动该行业探索新材料和技术,以实现更高的基本突破,更加节能的性能。对于个人电脑市场,我们将看到Ultrabooks和新的Windows 8操作系统的出现——这两种操作系统都可以刺激技术升级周期并推动增长。
IEEE频谱文章:寻求通用存储器

IEEE频谱文章:寻求通用存储器

下面是我提交给IEEE.um的一篇文章的简短摘录,该文章关注正在出现的内存技术,这些技术被考虑帮助智能手机和平板电脑满足对更高能效数据存储的需求。要访问完整的文章,访问IEEE频谱网站。”我们的智能手机和超薄笔记本电脑依赖于三大存储技术——SRAM,动态随机存取存储器,和flash-each定制特定的目的。他们都是了不起的工作狂,但现在这些存储器正努力跟上更快的芯片的稳定需求,更便宜的,更可靠,并且更加节能。