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琴图拉®ISPRINT™钨ALD/CVD

应用Centura印钨ALD/化学气相沉积系统为长宽比在4:1到7:1之间的结构提供完整的接触/通孔填充,并将钨技术的能力扩展到逻辑和内存应用的20nm/16nm。

该系统将创新的ALD钨成核层技术与高通量Sprint CVD钨散装填充工艺相结合,以实现化学机械抛光-兼容的钨插头。

ALD工艺将成核厚度从300_的典型CVD值降低到12_的厚度,在保持良好的屏障性能的同时,确保可靠,可重复集成物理气相沉积Ti/MoCVD锡内衬/屏障。

isprint系统还提供高吞吐量和低成本的消耗品,具有优化的ALD腔设计,具有专有的快速气体输送系统和小腔体积,使快速,使用更少气体的有效气体净化。