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钴产品套件

betwayapp应用材料继续在金属化,引入最重要的材料创新接触互连自从20年前铜被引入双大马士革。三种新的沉积工艺由一种新的退火产品和一种经过生产验证的CMP工具进行补充,以构成一套端到端工艺套件(如下图所示),使其能够使用钴作为导电材料,从而维持高性能逻辑。晶体管以及互连扩展。

作为特征CD专区继续缩小,降低设备功耗和提高性能速度越来越受到触点和本地互连性能的限制。对于7nm及以上节点,钨间隙填充电阻的增加导致了更高的功耗和更低的芯片性能。一级铜互连面临着类似的挑战,因为电阻随着铜体积的减小而增大,同时降低芯片性能。

钴不仅是一种固有的比钨低电阻材料,但是,制造钴触点的工艺流程也会产生更大的导电金属体积,提高了性能,在相关的方差减少中,从而提高产量。同样地,在互连中,钴的线和电阻结垢性能比铜好,电迁移率比铜低。促进更高的电流密度。

  • 应用Endura Cirrus RT-PVD钴:这个系统沉积了最初的钴薄层,随后的CVD钴附着在上面。
  • 应用Endura Volta CVD公司:该系统在PVD层之后沉积钴填料。随后在退火过程中消除了该沉积过程产生的焊缝。
  • 适用于Endura Versa Xt Pvd Co:该系统在退火后沉积厚覆盖层。
  • 应用生产商Pyra退火:这个系统加热晶片,导致钴回流,消除了大块填料中的接缝,扩大晶粒尺寸,净化钴,减少阻力。要了解有关此系统的更多信息,点击在这里.
  • 应用反射LK Prime CMP:使用专门为抛光钴而优化的泥浆,该系统去除了早期沉积步骤产生的覆盖层,并为后续工艺步骤创建一个平面。要了解这个系统,点击在这里.