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γ

  • 直径约为8英寸的硅片。也用于指工具设计用来加工这种尺寸的晶片。
  • 直径约为12英寸的硅片。也用于指工具设计用来加工这种尺寸的晶片。
从头到尾

  • 从液体或气体中除去有毒或其他有害物质的过程。示例包括从其中去除铜颗粒化学机械抛光淤浆或将液体或气体有毒废水转化成安全形式进行处理。
  • 半导体中接受电子的杂质。硼是掺杂硅的主要受体。离子注入过程。
  • 一种存储单元,用于临时存储生产线中正在进行的工作。
  • 离子注入,将原子引入晶体管的一部分以改变其材料性能的过程;在最常见的应用,,掺杂剂原子变得具有电活性,即罪名载体产生并增加注入区域的电导率。
  • 当注入掺杂剂原子时,硅晶体点阵被打乱了,或非晶化的.随后,使用以下方法修复网格实时传输协议,在此过程中,掺杂离子占据了晶格中的取代位和电荷。载体被创建。
  • 一种使用电致发光阵列的显示器。有机发光二极管控制像素薄膜晶体管.
  • AMOLED显示器的每个像素直接产生光,不像一个TFT-LCD其中,整个显示器由背光从背后照明,并且由控制液晶在每个像素处的偏振的薄膜晶体管选择性地允许通过。
  • 与TFT-LCD相比,AMOLED显示器的主要优点在于关闭像素不消耗功率,整体功耗明显降低。
  • 一种类型的二元光掩模使用不透明的MoSi层作为光吸收层。极薄的铬层被放置在顶部,用作硬掩模用于蚀刻工艺。也被称为不透明的MoSi在玻璃(OMOG)光掩模。
  • 薄膜沉积一次沉积一小部分材料的技术。
  • 一种类型的PSM其具有蚀刻到不同深度的石英衬底的区域,从而在透射光中引入180度相移,以提高对比度,从而提高晶片上投影图像的分辨率。
  • 在微芯片内形成晶体管和其他电路元件之间的连接的铝通道。
  • 离子注入,用于分析离子种类并根据原子量选择所需离子的磁体。
  • 长度单位;一米一百亿分之一。
  • 高温处理步骤,设计用于修复晶片晶体结构中的缺陷或诱导相变。
  • 离子注入,一个开口,离子束通过该开口被引导,该开口限定了向前射束的形状和大小。
  • 光吸收层(通常是氮化钛),沉积在金属或多晶硅上,改进光刻性能。
  • 一种类型的PSM允许少量的光透过某些区域以干扰来自掩模的透明部分的光,为了再次提高晶片的对比度。
  • 在光伏模块制造中,使用高压釜,通过使模块经受高温高压,来去除残留的空气并改善层压膜与玻璃基板之间的粘合。
  • 任何具有移动盒式磁带的搬运机器人的设备,豆荚,或片盒往返于固定设备。
  • 用于晶圆检测系统由此,缺陷根据其物理和光学性质被归入若干类别。
从头到尾

  • 覆盖整个太阳能背面的金属层光伏发电电池,充当导体。
  • 也用来指先进电池的设计等超声心动图其中电池的两个端子位于晶片的背面,从而增加电池的聚光面积,从而提高转换效率。
  • 薄膜太阳能模块的底层,它提供刚性和电绝缘。通过接线盒通过后玻璃上的孔连接到电路上的。
  • 在真空抽吸过程中,通过加热加速真空系统或部件的表面脱气的技术。用于减少达到超高压所需的时间。
  • 除了太阳能组件之外,还具有制造具有功能的太阳能光伏发电系统所必需的组件,包括安装结构,电缆敷设,逆变器land and maintenance.
  • 一种物理层,其设计用于防止阻挡层上方和下方的层相互混合。
  • 一种同时处理多于一个晶片的处理序列,相对于单一晶片(串行)处理。
  • 离子注入,离子束中的任何不希望的物种或离子电荷。
  • 离子注入机端站中的扫描电流,定义为数字的乘积,光束中物种的速度和电荷。
  • 离子注入,一种带负电荷的电极,用来反射缓慢移动,带正电荷的离子。(见静电镜
  • 该系列工艺步骤在晶体管制造完成后通过晶片完成,在电气测试之前。也被称为半导体制造的后端。术语“后端”也指晶片完成后芯片制造的那些部分,即划片,包装和测试。
  • 在存储器件的衬底的给定区域中,对存储器单元紧密封装程度的度量。
  • 一般来说,较高的比特密度是理想的,因为它倾向于提高性能和降低每比特的成本。
  • 通常以每平方英寸的位为单位。
  • 将信息写入/读取到存储单元/从存储单元读取信息的行。
  • 用于沉积描述与晶片的顶表面相比,在电路特征底部沉积材料的工艺的能力,或领域.它被定义为场中薄膜厚度除以给定特征底部薄膜厚度的比率。
  • An amorphous insulating material made by doping SiO用硼和磷改善耐湿性和回流特性。
  • 缺陷检验方法收集从缺陷的反射光,创建其中缺陷在白色背景上呈现为暗的图像。一般来说,明场系统更灵敏,但比这慢暗场检查。在晶体管制造过程中,亮场检查通常用于发现图案化缺陷。
  • 全身服装,人事穿的一种全身服装洁净室减少颗粒和污染物释放到空气中。
  • 在薄膜PV模块中,从单个太阳能电池收集功率的相对较大的导电带。
从头到尾

C

  • 一种材料能储存电荷的程度。
  • 用于临时存储电荷的电子部件。它由两个由非导电材料隔开的导电表面组成。电介质.
  • 电子或携带的电荷通过导体或半导体材料。
  • 一项措施,通常以cm表示/v·s,关于电荷载体(电子或(1)能够响应于施加的电场移动通过半导体。材料的电导率与载流子浓度乘以迁移率成正比。高迁移率在半导体器件中是非常理想的,因为它通过更快的晶体管开关导致更高的器件性能。
  • 一种金属或塑料的开口容器,用于将晶片(通常为25)往返于工具。盒式磁带保护晶片免受直接操作可能造成的损坏。
  • 一种使用镉碲化合物作为光转换活性层的薄膜太阳能电池。
  • 用于描述蚀刻精度的参数蚀刻过程。CDU定义为重复特征的大小与其标称值的变化(光盘在几个点上测量基底.

计算流体动力学流体力学的一个分支,它使用数值方法和算法来解决和分析涉及流体流动的问题,,

  • 在一个FET,渠道是通过半导体区之间的电子流来源排水终端,由施加到大门.
  • 离子注入,当光束中的一些离子撞击单晶硅的原子晶格结构之间的晶片并穿透比其他离子更深时,就会发生沟道。由于不能精确地计算或控制植入物的深度,所以沟道化是不可取的。通道可以通过倾斜或旋转晶圆降低,用氧化网覆盖其表面,或者对硅进行预非晶化。
  • 电子损失原子粒子对电离原子的电子损失
  • 二硒化铜-铟化铜:一种使用铜化合物的薄膜太阳能电池材料,铟,硒。A fourth element,镓,也可以添加到化合物(CIGS)中以实现更高效率.
  • 制造厂内的一个区域,用来调节空气,以除去可能妨碍半导体器件正确工作的空气中微粒。
  • 金属氧化物半导体由成对的p-组成的装置通道以及N沟道晶体管。
  • 也用来指制造工艺家族,用来构造以CMOS晶体管为特征的集成电路。
  • 使用磨料的过程,化学活性浆料,物理研磨部分加工的晶片上的微观形貌特征,以便后续工艺可以从平坦表面开始。也称为化学机械抛光。
  • 离子注入将两种物质植入材料的相同区域以改善掺杂区域的电性能的技术,通常用于改善晶体管性能。
  • 例如,非掺杂原子,例如氟或氮可以与掺杂剂如硼制超浅PMOS晶体管渠道用改进的掺杂剂激活从掺杂区到非掺杂区的急剧转变。
  • 封装的底面平行于印刷电路板的着陆面。
  • A layer of an LCD flat panel display that is divided into transparent areas of red,绿色和蓝色,每一个都覆盖着一个晶体管,该晶体管被开关到全范围的颜色。
  • 使用计算机系统和软件辅助创作,修改,或者分析2D或3D设计。
  • 一种利用计算机控制整个生产过程的制造方法,允许各个步骤交换信息和发起动作。
  • 包含移动电荷载流子的材料,如电子或离子。
  • 芯片上的一种特征,在第一条电路之间形成电通路互连层和晶体管。这个地区经常充满钨。
  • 射频等离子体世代,指保持恒定频率和振幅的波形,与"相反"脉冲的调制供应的交付,通常在两个不同的振幅之间,在100-1000Hz范围内的频率。
  • 互连以铜为导电材料的结构,与铝互连相比,提供更高的器件速度和更低的功耗。
  • 掺杂沉积包含所需材料的共形层的工艺掺杂剂然后使用热过程将掺杂剂驱动到底层电路结构中受控的深度。CPD提供了一种掺杂复合物的方法,三维结构。兴奋剂传统上是通过离子注入,它用掺杂剂离子高速轰击晶片。然而,这种视线轰击工艺不能提供3D结构的均匀掺杂。更重要的是,快速移动的离子会损伤超薄半导体芯片中的半导体层。CPD设计用来解决这两个问题。
  • 光刻,CD是要在晶圆.在其他半导体工艺中,CD是在基底用于描述给定过程的精度或其他特性。
  • 电路元件中的信号由此产生的不良影响,比如一个互连线,影响附近另一个电路中的信号。In semiconductors,耦合通常是寄生电容在这两个电路之间。
  • A type of secondary vacuum pump that captures gas molecules by cryogenically freezing and absorbing them.低温泵能够产生非常高的真空,但必须定期再生,即允许返回到环境温度以解吸和抽走捕获的气体。
  • 原子排列成有序周期阵列的材料。
  • A generic term for solar cell technology that uses a substrate of purified silicon in a crystalline structure.
  • 一种通过使基底到一种或多种挥发性前体,它们在衬底表面反应和/或分解。
  • 晶片在制造过程的特定部分中加工所需的时间量。
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D

  • 使用离子注入用于通过故意破坏硅晶体结构来控制半导体器件的电特性。
  • 特别地,损伤工程用于通过调整来控制掺杂剂扩散的深度。剂量速率,雇用低温注入,和/或使用共种植体种。
  • 在制造具有非常小的几何形状的晶体管时,损伤工程用于实现性能增强技术,例如源漏扩展,,预硅化物应变工程.
  • 不反射的,不吸收能量,无机的电介质在金属或多晶硅上沉积的层以便改进光刻性能。
  • 缺陷检验利用探测器收集散射光使缺陷在暗背景下显得明亮的技术。通常用于寻找晶片上的颗粒互连制作。与明场检查。
  • 波长低于300nm的紫外光谱部分。
  • 缺陷位于图案化晶片上的一种工艺。创建缺陷位置列表并将其传递给DR-SEM用于回顾和分类。
  • 一种类型的扫描电子显微镜用于在晶片制造过程中对缺陷类型进行分类,并确定这些缺陷是否会影响芯片产量。
  • 在衬底上沉积绝缘或导电材料的薄层的方法。
  • 概述集成电路设计和布局的几何和连通性限制的规则。
  • In semiconductor manufacturing,在硅片上制作功能电路的区域。在每个晶片上制造数百个相同的模具(备选的复数是模具和骰子)。
  • 绝缘体
  • 也更具体地用于指可被外加电场极化的绝缘体。半导体加工中常用的两种介质是二氧化硅(SiO)和氮化硅n
  • 间歇式离子注入机上的大锥轮,用于在离子注入.在每个晶片的末端安装一个晶片“说话”磁盘的。当磁盘旋转,每个晶片依次通过离子束,该离子束被径向扫描,以提供均匀性。剂量横跨每个晶片。
  • 杂质,杂质,杂质以受控量添加到材料中以改变某些内在特性,例如电阻率或熔点。向半导体中添加掺杂剂会产生主要为负(负)的材料。n型或阳性(P型(根据掺杂剂种类而定)载流子。
  • 含有粘性液体或悬浮液掺杂剂材料。
  • The introduction of impurities,或掺杂剂.进入晶格的材料来改变其电学性质。要创建n型区域,砷,砷化氢)磷化氢通常使用锑。对于p型区域,典型的掺杂剂是硼(B),二氟化硼以及三氟化硼
  • 总金额掺杂剂离子/厘米测量需要给注入的晶片提供期望的电特性。
  • 一种精密电流测量装置,用于计算注入晶片的离子总数。该函数有时与均匀性监测相结合。
  • 一类的图形技术提高了电路的功能密度,可以制作在晶片超出特定的曝光正常范围步进器.见距减半萨达普.
  • 太阳能技术光伏发电其中接触线或其他结构以多个形式构建的制造,精确对准的丝网印刷操作。
  • 双面打印应用实例包括窄的制作,高接触线选择性射极细胞类型。
  • 一种利用电感耦合产生氮等离子体并将氮引入超薄栅氧化层的顶表面层以增加栅电介质的介电常数的方法。
  • 一种类型的等离子体等离子体主要用于分离等离子体密度和离子能量管理的蚀刻应用的源,导致高蚀刻速率和最小的等离子体对衬底的损伤。
  • 一种易失性计算机存储器,其中每个位都存储在一个单独的电容器中。因为电容器随时间自放电,每个比特的状态必须每秒刷新大约15次,因此,术语“动态“.比较静态的“闪存.
  • DRAM提供任何类型的存储器中最快的编程,使其非常适合直接连接到微处理器作为主存储器使用。
  • 大马士革设计成同时用铜形成和填充两个特征的工艺,例如。,一沟槽上覆的通过两者都可以用单个铜沉积步骤填充。
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e

  • 在太阳能光伏技术中,入射太阳能的一部分,转化为电能。
  • 由于导电电子和扩散金属原子之间的动量转移而引起的导体中离子运动引起的材料运动。
  • 从化学溶液中除去金属并沉积在带电表面上的沉积过程。也称为电化学镀,电镀,或电沉积。
  • 通过电解进行,它是通过电流将液体分离成不同化学部分的过程。
  • 带负电荷的稳定亚原子粒子,用作电的载体。
  • 离子注入,在晶片附近的终端站中的电子源,用于中和正电荷注入离子中不希望产生的电荷,这些电荷会损坏敏感电路特性。
  • The energy gained by an electron (or proton,(相同大小的电荷)通过1伏的电压差。在离子注入,eV是用来测量粒子动量的。动量大的粒子比动量小的粒子穿透半导体晶格更深。
  • A static voltage field in which no current is flowing.在离子注入,它指的是使用电压来弯曲或聚焦离子束。
  • 一种高级的背面接触PV电池。在通过单元结构的发射极封装中,连续发射器通过直径小于100微米(微米)的数千个激光钻孔孔扩散,将电流带到电池背面。通过消除前触点,EWT增强了光吸收并提高了电池效率。
  • 也,称为范围末端位错环,EOR缺陷是硅晶体晶格中的缺陷,它直接存在于非晶化的和晶体管的结晶区通道之后离子注入.
  • EOR缺陷可以通过以下方法最小化低温注入.
  • 光束线在某些瓦里安语中使用的元素离子注入器同时减速离子束最后的能量和过滤器的离子束去除多余的高能成分可以”涂抹“晶体管通道,导致漏电流增加和性能降低。
  • A number used to compare performance of gate电介质通过指示氧化硅膜需要多厚以产生与所使用的介电材料相同的效果的材料。
  • 用于比较高k介电MOS栅的性能和基于SiO2的MOS栅的性能的数目。它显示SiO2栅氧化层的厚度需要与具有较高介电常数K的较厚SiO2介电层获得相同的栅极电容。使用具有k=39(SiO2的k为3.9)的10nm厚的电介质将导致1nm的EOT]。
  • 一种存款方法,或生长,一种单晶薄膜,其中沉积的薄膜具有与基底相同的晶格结构和取向。这使得能够建立半导体器件的高纯度起点。
  • 空气污染指数监控处理工具的技术,提供可视化和统计报告工具,以识别瓶颈并改进工厂性能。
  • 通过化学反应或物理轰击去除特定区域内物质的过程。该过程可以使用液相(湿)蚀刻剂或在真空(干燥)下进行,通常使用等离子体来生成气相反应物。
  • 蚀刻处理,典型地表达在_/s或nm/s中。
  • 用来限制的薄膜层蚀刻深度和保护底层材料。ESL被选择为耐蚀刻化学使用。
  • 光刻采用13.5nmEUV照射的技术。它代表了一个重大的偏离。杜夫光刻,因为所有的光学元件都必须以反射模式工作,整个光学系统必须保持在真空状态。
  • 离子注入,提取电极用于从源极提取带正电的离子。离开源的离子在下游结合形成用于注入的光束。掺杂剂变成硅片。
从头到尾

f

  • 半导体制造厂的通用名称,用于制造集成电路的工厂。
  • 也被称为嵌入式晶圆级球栅阵列。一种芯片封装方案,其中封装不是在硅片上创建的,但是在由模制材料制成的人造晶片上(例如,环氧树脂)。芯片之间的距离通常大于硅片上的距离。在芯片周围建立互连,并且从芯片焊盘到互连建立电连接。可以在任意距离(扇出设计)上在包上创建任意数量的附加互连,使得该方案对于空间敏感应用是理想的,其中芯片面积将不足以将所需的互连数量放置在适当的距离。
  • 空气污染指数使用过程状态模型推断故障状态的发生和位置并诊断故障原因的技术。
  • 集成电路制造的第一部分包括晶体管制造。FEOL通常覆盖直到(但不包括)沉积联络和金属互连层。术语“前端”有时用于指整个工艺过程到完成的晶片。
  • 一种依靠电场来控制半导体材料中载流子流动的晶体管。
  • 一种安装在半导体处理系统前部的超清洁外壳,用于将晶片传送到洁净室环境和系统内部。
  • 用于沉积用于描述晶片的顶表面不同于电路特征表面的应用,例如低于顶表面的沟槽和通孔。
  • FiFET是一种类型的FET其中传导通道三面被薄硅包围鳍它形成晶体管的栅极。虽然从技术上讲,这个术语仅指具有两个门的设计,该术语通常用于描述任何多栅晶体管结构,不管有多少门。
  • finFET的主要设计目标是在晶体管处于关闭状态。
  • 一种不需要功率来保存数据的非易失性存储技术,不像动态随机存取存储器.“闪光灯”来自内存被擦除并在大块中编程的事实,每次从几百到几千比特。这种无法寻址单个位的能力使得它太慢而无法直接连接到微处理器,但是闪存的机械健壮性和低成本使其非常适合于移动设备的大容量存储。
  • 任何消费者显示设备,比如一个液晶显示器阿莫勒,具有平面表面,与阴极射线管显示器的弯曲前部形成对比。
  • 是用于互连半导体器件的方法,例如IC芯片和微机电系统(MEMS),到外部电路与焊料凸点已经沉积到芯片焊盘。
  • 物理性质在空间中的流动,频度也随时间的变化而变化。
  • 在LED技术中,产生指定光输出所需的LED端子上的电压。它也是LED不会产生任何光的电压。
  • 带有固定开口盒的容器,其与自动材料处理系统一起使用(前开口接口);阿姆斯)使用FOUP可以减少晶片上的粒子数,因为FOUP的内部与环境工厂环境隔离。
  • 掺杂SiO制成的非晶绝缘材料(k=约3.5)与氟常用于铜互连层之间。又称氟硅酸盐玻璃。
从头到尾

G

  • 一个术语,代名词,用于平板显示器描述玻璃尺寸的制造基底.
  • 每一代大约比其前辈大80%。
世代 典型尺寸(mm) 面积(m) 介绍

第2代

400×500

零点二

一千九百九十三

第3代

620×750

零点五

一千九百九十五

第4代

730×920

零点七

二千

第5代

1,000×1,二百
1,200×1,三百

一点二
一点六

二千零二

第5.5代

1,300×1,五百

二千零四

第6代

1,500×1,八百五十

二点八

二千零三

第7代

1,870×2,二百

四点一

二千零四

第7.5代

1,950×2,二百五十

四点四

二千零五

第8代

2,160×2,四百六十

五点三

二千零六

第8.5代

2,200×2,五百

五点七

二千零七

第10代

2,880×3,一百三十

二千零八

  • 一种包括洗手和戴手套的手术,头巾,面具,鞋套,在工人进入洁净室之前,还要穿其他专门的衣服。
  • 清洁室外部的支持区域或服务区域,允许服务人员在不进入清洁室本身的情况下执行日常维护。
  • 缺陷检验使用探测器收集中角度和高角度散射光的技术,使缺陷在黑暗的背景下显得明亮。通常用于发现超出光学分辨率的小图案缺陷。与明场检查。
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H

  • 面具比光刻胶更耐蚀刻,高刻蚀时使用选择性比使用光致抗蚀剂所能达到的要求还要高。
  • 高浓度自由电子的等离子体,因此,高浓度的离子。
  • 一种等离子体增强型化学气相沉积在高真空和高等离子体激发电压下进行以提高填充小高深宽比结构的能力。
  • 一类离子注入器产生最高的束流,通常超过3mA。更大的束流,需要的越快剂量到达,导致更高的晶片吞吐量。离子能量在1k之间电动汽车典型为100keV。
  • 一类发光二极管产生足够的光是用来照明的应用。应用包括LCD显示器的背光,室内照明和汽车外灯。确切地说,一个LED必须有多亮才能符合高亮度没有很好的定义。最简单的定义是一个太亮而不能直接观察的定义。
  • In semiconductors,空穴是晶体晶格中可能存在的电子的缺失。它可以被认为是电子的对立面,带正电荷,正电荷大小和电子完全相同。如果,在电场中,一个电子移动到这个空位,这个孔有效地向相反的方向移动。
  • 智能工厂系统,用于与半导体制造中使用的设备进行通信。In semiconductors,这个SECS/GEM使用协议。
  • 已知容易发生故障的地区
从头到尾

  • 一种等离子体源的能量是由电磁感应产生的电流供给,也就是说,通过时变磁场一般从真空外壳外部施加。
  • 光刻分辨率增强技术,它用液体介质(如水)代替最终透镜和晶片表面之间的通常气隙。
  • 离子注入,离子束与晶片表面之间的入射角。

对晶片的检查,以检测各种类型的缺陷(例如,划痕,粒子,受损特征)遵循半导体制造工艺流程中的每个步骤。

  • 非导电材料,用于隔离器件或芯片的电活性区域。一些常用的绝缘体是二氧化硅,氮化硅,,BPSG,和聚乙二醇.
  • 一种电子器件,由许多元件组成,在单个硅衬底上共同制造。
  • 集成电路中将晶体管彼此连接以及外部连接的线路。
  • 用于集成电路金属层之间的绝缘膜。
  • 在相邻金属线之间使用的绝缘膜。
  • 一层硅或一些其他合适的材料,用作一个插座或连接到另一个插座之间的电气接口路由,以将连接扩展到更宽的间距或将连接重新路由到不同的连接。
  • 一个将直流电从太阳能板装置,例如,与电网电力兼容的交流电力。
  • 由一个或多个电子的损耗或颗粒形成的带电原子或原子群
  • 离子的处理技术掺杂剂化学药品(硼,砷,(等)在强电场中加速以穿透晶片表面,从而改变材料的电特性。
  • 一种工具,设计用于将选定的掺杂剂原子均匀地穿过衬底注入到所需浓度下的规定深度。该技术被称为离子注入.
  • 从电中性原子或分子中加入或除去一个以上电子的过程。一旦粒子被电离,可以加速,使用磁场或静电场操纵或以其他方式操纵,如在光束线.
  • 一个共同点TCO材料。
从头到尾

J

  • 不同半导体区域之间的界面掺杂剂类型。通常指p-n结,电导率类型在P型n型.
  • 在太阳能组件中,设计成为模块的输出提供连接点的环境外壳。
从头到尾

K

  • 也称为介电常数,通常用希腊字母kappa(κ)表示。一种表达的程度,材料集中电通量。
  • 在电子技术中,它指的是材料相对于二氧化硅的电容。
  • 高k值允许晶体管大门在不增加不希望的泄漏的情况下变小。
  • 在诸如用于分离的绝缘材料中,低k值是理想的。互连因为它减少了电荷积聚,而电荷积聚浪费能量作为热量,降低设备的整体功耗。此外,低k值允许更快的信号传播从而更快的开关速度。
  • 切削过程中材料损失的量。在硅片生产中,切口损耗是指作为晶片工艺的一部分而消耗的硅的数量,在确定成本方面起着至关重要的作用,边缘质量,and surface finish of a wafer.
从头到尾

L

  • 在化学方面,用于不断经历或可能经历变化的事物的术语。例如,如果分子以特定的构象存在较短的寿命,在采用较低能量构象之前,前者的分子结构据说具有高不稳定性。它可以指一个ALD易制毒化学品与在晶圆表面材料的反应容易。
  • 一种使用激光烧蚀薄膜光伏电池表面以定义互连图案的技术。
  • 结晶固体中原子的有序排列。
  • 一种半导体器件,当电流流过时发光。LED由p-n组成接合其构造方式是,当一对电荷载流子复合时,发射光子。
  • 主要用于光掩模刻蚀它测量蚀刻过程的精度。线性定义为偏离目标的范围。光盘跨越指定的特征大小范围。
  • 一种使用背光阵列的平板显示器。薄膜晶体管称为背板控制每个像素。
  • LCD的工作原理是单独控制每个晶体管以允许或阻挡来自背光的光。然后白光通过一个彩色滤光片阵列来组装最终的,全色图像。
  • 当像素晶体管被关断时,液晶材料使偏振光旋转90°,允许它通过第二偏振器。
  • 当晶体管通电时,液晶分子以这样的方式排列,使得光不再旋转,所以光被第二偏振器阻挡。
  • 任何提高分辨率的技术,忠实或其他方面光刻过程。
  • 将图案或图像从一种介质传送到另一种介质,such as from a光掩模使用步进器.
  • 用于在FI以及用于加工的真空环境。
  • 同时加工的一批具有相同特性的晶片。很多东西通常是在一起存放的。片盒.
  • 一个介于3,000和100,单个管芯上有000个晶体管。第一批大规模集成电路芯片是在20世纪70年代中期生产的。
  • 用于创建的过程。多晶硅薄膜采用两步法。The first step deposits a precursor film at 400-450° using aPECVD法过程,低于600—1000°低压化学气相淀积通常用于半导体制造的工艺。第二步使用退火将前驱体转化成多晶硅的过程。
  • LTPS薄膜通常用于阿莫勒超高分辨率TFT-LCD显示器。
  • 在LED技术中,LED如何有效地将能量转换为电磁辐射的测量。通常以每瓦流明(lm/W)表示。
从头到尾

  • 一种图案化的材料层,用于防止直接在其下面的材料的蚀刻。也是光掩模.
  • 瓦里安植入机中的质量分析磁铁位于来源以及用于偏转和过滤离子的处理室,因此只有选定的离子进入处理室。这确保了只有必需的掺杂剂到达晶片。
  • 一种计算机控制系统,用于管理在制造环境中正在进行中的材料的运输和存储。
  • 一类离子注入器最大设计剂量均匀性。束流范围从1A到5mA,在5-600keV的能量下。中电流植入器通常具有植入能力。掺杂剂种植体角度从晶片表面降至30°,使掺杂剂能够部分植入晶片表面现有结构的下方。
  • 使用改进的半导体器件制造技术制造的非常小的机械或机电器件,如传感器和执行器。
  • A software control system for managing and monitoring work-in-process material in a manufacturing environment.
  • 确定尺寸的科学,数量,或者容量;在晶片加工中使用传感器和测量设备来确定物理和电气特性的技术和程序。
  • 一种薄膜硅,具有非常小(0.5-2m)的硅晶体,与非晶硅混合。它通常沉积在薄层(通常为1-3m)中,用于串列(堆叠)薄膜太阳能电池。
  • 根据相同特征的密度,以不同速率蚀刻相同特征的现象(例如。稠密的,半致密)关于开放区域特征。
  • (μm或千分尺)长度单位;百万分之一米。
  • 一种包含算术运算的集成电路,单个封装中的逻辑和控制电路。
  • 一种外壳或由外壳创造的环境,使晶片不受污染,如福普.
  • MOCVD是一种外延生长用于沉积化合物半导体薄膜的方法,尤其是那些用于制造高亮度LED以及电力电子。在MOCVD工艺中,在含有所需金属的有机化合物和其他元素之间的衬底表面发生化学反应。
  • 太阳能模块是最终封装光伏发电机。在C-SI技术中,模块通常包含几十个太阳能电池连在一起
  • 通过生长二氧化硅(SiO)层获得的结构在硅衬底的顶部,然后沉积一层金属或多晶硅(后者通常被使用)。通常用于描述以这种方式制造的晶体管。
  • 在太阳能光伏,一种硅晶片,用单晶硅的晶粒铸造成锭。然后将锭切割成晶片,用于制造微芯片和光伏电池。
从头到尾

n

  • 具有负电导率的半导体材料(多余的电子)。
  • 逻辑运算符Flash memory只有在其至少一个输入没有信号的情况下,才产生输出信号,因此不“(AND运算符的倒数)。
  • 半导体溶液,专注于小于100nm尺寸的太阳能和显示产业。
  • 长度单位;十亿分之一米。
  • 瓦里安注入机使用的一种装置,在安装过程中测量离子束电流,并作为在光束线.
  • 在具有相同能量但不再带电荷的离子束中运动的粒子。中性粒子不能被外场操纵,并且会以固定的速度继续运动,直到与真空室壁或其他粒子碰撞。
  • 转化为氮化物
  • 金属氧化物半导体有源载流子是电子在n型源极和漏极区域之间在静电形成的n中流动的晶体管。通道在p型硅衬底中。
  • 逻辑运算符Flash memory产生与OR相反的输出结果。
  • 促进随后沉积的膜的生长的薄膜层。
  • 缺陷检验可以忽略的系统,因为它对已完成设备的功能没有影响。抑制骚扰,或“虚警缺陷是先进缺陷检测系统的关键能力。
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o

  • 氧化物-氮化物-氧氮化物;多层金属氧化物半导体栅介质。
  • 一种发光器件,其中由于薄膜有机半导体中的电子-空穴相互作用而发射光子。
  • 离子注入,晶片晶格结构相对于光束的方位角。在不同的方位,不同的掺杂剂渗透深度沟道将获得。
  • 离子注入,将离子束扫过晶片边缘以达到均匀性的实践剂量在晶圆周边。
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  • 具有正电导率的半导体材料(电子的缺陷)。
  • 所有电路元件的固有电容,例如互连晶体管使他们的行为偏离理想的电路元件。
  • In semiconductors,特别指紧密间隔的导体之间的不希望有的电容,这会导致诸如串音.
  • 通过降低介电常数可以降低寄生电容,或K值隔离相邻电路元件的绝缘体。
  • 从左到右按相对频率递减顺序绘制值的垂直条形图。Useful for analyzing what problems need attention first.
  • 在半导体器件中在电路元件上形成密封的层,作为制造过程中的最后一步,或者当晶片在加工工具之间转移时,保护化学活性材料免受反应。等离子体氮化物和二氧化硅是主要用于钝化的材料。
  • In semiconductor manufacturing,在晶片上创建所需的电路几何形状。通常用于指组合光刻以及相关的工艺,例如图案化薄膜沉积和蚀刻.
  • 一片透明的聚合物,搭在框架上以保护光掩模的图案化区域免受空气污染。在暴露期间,任何污染都保持在焦平面之外,因此不会”“打印”在晶片上。
  • 光掩模利用相位差产生的干涉来提高光刻中的图像分辨率。
  • An amorphous insulating material made by doping SiO具有提高磷耐湿性和回流性的特点。又称磷硅酸盐玻璃。
  • 熔石英板,通常为152mm正方形,覆盖着不透明的图案,在光刻定义集成电路的一层布局的过程。
  • 一种光敏有机聚合物,被光刻过程,然后开发出用于识别待蚀刻底层膜的区域的图案。
  • 邻接特征的中心之间的距离,例如互连线或接触洞。
  • 任何创建配对的模式化技术,来自单个的特性光刻具有原始图像的一半,因此,比光刻工艺本身能够创建更小的图案。有时被误称为音高加倍。
  • 平板显示器技术,描述显示器上各个像素之间的距离的分辨率测量。通常以每英寸像素表示,或PPI。
  • 用低选择性蚀刻或穿透的方法使不平整的晶片表面相对平坦化学机械抛光.
  • 第四种物质状态——不是固体,liquid or gas.在等离子体中,电子被从原子中拉出,可以独立运动。单个原子带电,即使正电荷和负电荷的总数相等,保持整体的电中性。
  • 在完成晶体管的末端沉积的绝缘层菲奥尔第一金属的加工互连形成层。
  • P-通道MOS晶体管,其中有源载流子是在n型硅衬底中静电形成的p沟道中的p型源区和漏区之间流动的空穴。
  • 一种在DRAM制造中通常用于栅极电极的膜堆,由硅化钨组成的多晶硅.
  • 多晶硅(或半晶硅,多晶硅,poly Si或者简单地说聚是一种由多个小硅晶体组成的材料。广泛用作高掺杂状态的导体/栅极材料。聚膜通常通过使用低压化学气相淀积过程。
  • 用于离子注入用于减少沟道故意地非晶化以前的地区掺杂剂植入,从而能够实现更均匀的掺杂剂分布。在非晶化区域内没有沟道,根据定义。预非晶化注入通常用惰性元素(如氩)来完成。
  • 最后一次植入是在金属沉积之前完成的。
  • 在集成电路或其它器件的制造中执行的一种操作或一组顺序操作。
  • 在集成电路或其它器件的制造中执行单个工艺的封闭区域。
  • 优化每个工艺步骤,以便与顺序工艺流程中的先前和后续步骤正确地工作。
  • 一种类型的触摸屏由电极网格组成,所述电极网格可以检测由于导电物体(例如手指或导电触针)的存在而引起的静电场的畸变。
  • PCT面板通常用于需要同时精确跟踪多个接触点的应用,如智能手机和平板电脑。
  • 把光转换成电的过程。太阳能光伏是利用太阳辐射发电。
  • 用于制造薄膜PV组件的树脂。PV电路,在一片玻璃上形成的,用一张PVB覆盖,然后背玻璃.然后将该组件层压以封装电路,保护它免受环境的影响。
  • 导电材料原子(铝)的工艺技术,氮化钛,等)溅射从A目标纯材料,然后沉积在基板上,以在集成电路内创建导电电路,或者平板显示器.
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Q

  • 由四极交替排列成圆的符号产生的磁场或静电场;用来聚焦带电粒子束。
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R

  • 空气污染指数允许在机器之间修改加工参数的技术跑使可变性最小化。
  • 原子或原子群,具有至少一个未配对电子,因此不稳定,反应性强。
  • 频率从大约3千赫到300千赫兹的电磁辐射。
  • 基于单色光的非弹性(拉曼)散射的一种化学分析方法。能够以非接触方式对化合物进行实时反应监测和表征。
  • 退火将晶片加热到指定温度一段短时间的过程。
  • RTP在半导体器件制造期间被重复使用,用于以下目的:激活植入的掺杂剂或改变材料的状态(或阶段)以增强期望的属性(例如,导电性)。退火可以使用三种技术进行——浸泡,尖峰,和毫秒。The choice of technology depends on several factors,包括在制造序列中的特定点承受设备承受一定温度/时间暴露的公差。广义地说,设备可以承受更长的曝光时间(30-90秒),也称为浸渍退火,在制造周期的早期,在高温下。随着周期的进行,如果需要高温,则必须降低温度或显著缩短暴露时间。尖峰退火属于后一类,用于来源-排水植入物的激活和扩散以及高k/金属大门制作。
  • 向内倾斜的人指其侧壁是凹形的特征。
  • 用于特定工艺步骤的记忆参数,如气流的温度和压力。一般来说,相同的配方用于许多.
  • 芯片上的额外金属层,用于制作集成电路可在其他地点获得,使芯片到芯片的键合更容易。
  • 要求增加可再生能源生产的规定,如风,太阳能,生物量,地热。同一概念的另一个常见名称是可再生电力标准(RES)。
  • 导电材料与通过它的电流相对的程度的测量。
  • 离子注入,小孔,通常在分析仪之后直接发现,它仅将光束分解为具有特定电荷的一种分子或原子。
  • 公寓透明板,用于步进器包含要在晶片上再现的晶片图案的图像。经常互换使用光掩模.
  • 苹果公司的商标,用于描述像素密度足够高以至于人眼无法区分单个像素的任何显示器。
  • 注意,这个术语并不直接与像素密度,因为它包括观看距离。对于符合视网膜显示器条件的移动电话屏幕,其像素密度应该超过300ppi,但是电视只需要大约50ppi。
  • 一种类型的物理气相沉积与传统的PVD反应器相比,使用电感耦合等离子体以允许更低的离子能量的过程;从而形成非常薄的更温和的沉积机制,亚纳米薄膜和几乎消除损害的潜在电路特征。
  • 在里面离子注入,一种电子束,它被限制在一个矩形的横截面内,允许晶片的整个表面被沿着单轴方向操纵而覆盖。与必须前后扫描以覆盖晶片的点光束相反。
  • 一种蚀刻技术,使用化学反应等离子体来去除沉积在晶片上的材料。来自等离子体的高能离子与晶片表面上的材料发生反应。
  • 真空泵用于真空系统的初始抽真空的机械泵这个过程称为“粗加工。”“
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S

  • 由应用材料创造的用于描述的术语。betwayapp化学气相沉积过程表现略低于大气压力的应用TEOS/臭氧化学。
  • 双重曝光采用牺牲侧壁隔离膜实现的技术距减半.也称为侧壁间隔物双图案(SSDP)或间隔物定义的双图案(SDDP)。
  • 自我调整的收缩硅化物.硅化物加工技术寻求利用沉积在图案化硅衬底上的难熔金属在特定加工条件下选择性地与暴露的硅反应的原理。并且不会与相邻的材料反应,如氧化硅材料。因此,不需要任何图案化步骤。
  • 离子注入,离子束相对于晶片的运动,以便覆盖整个晶片表面。
  • A component of an离子注入器that either moves the ion beam across the wafer,或者通过离子束移动晶片。这可以通过磁场来实现,静电场或机械运动。
  • 用电子束而不是光来照亮样品的显微镜。光束在样品表面来回扫描。
  • 结晶硅太阳的光伏发电制造业,用开阔的区域支撑模版的编织材料片,通过该开阔的区域银浆或其它材料被辊子或刮刀迫使在晶片上形成图案。它类似于光掩模在半导体制造中。
  • 离子注入,薄的,氧化硅牺牲层它阻止了离子束中携带的杂散离子,随后将被移除。此外,屏幕氧化物轻微散射主离子束,从而防止。沟道.
  • 用于标准化半导体制造设备和主机控制系统之间的通信的软件协议。它被设计成通过建立一组通用的指令来简化工厂自动化,这些指令可以被绝妙的.
  • 成核层其中成核材料与随后沉积的膜相同。
  • 一种提高晶体硅转换效率的技术。光伏发电太阳能电池。选择性发射极是被精确地置于前金属接触线之下的重掺杂区域,以便减少电接触电阻并允许电流更自由地流动。掺杂区域通常通过沉积来制造。掺杂糊在晶片表面上,然后在上面印刷接触线。
  • 两种材料在蚀刻过程中观察到的蚀刻速率的比率。通常用于指用于去除的材料的相对蚀刻速率,以及面具,蚀刻图案保真度的一个重要指标。
  • 电导率介于金属(导体)和绝缘体(非导体)之间的一种材料,可通过添加掺杂剂.
  • 易分解成硅和氢的气体,硅烷常用于沉积含硅化合物。它也会与氨形成氮化硅,或者用氧气形成二氧化硅。
  • 一种退火(烧结)工艺,导致形成金属-硅合金(硅化物)作为接触。例如,在硅上沉积的钛由于硅化而形成TiSi2。
  • 一种化合物与化学元素硅。镍,钽,钛和钴硅化物薄膜用于产生用于晶体管连接的欧姆(低电阻率)接触。硅化钼通常用作掩模.硅化钨多聚物用于DRAM栅电极。
  • A silicon/nitrogen film dielectric deposited using plasma-enhanced or LPCVD.有时被松散地称为SiN。
  • 由单个p-n结构建的PV细胞。这包括非晶硅薄膜和大多数结晶硅细胞类型。
  • 一种高功率磁控管电源物理气相沉积向等离子体提供足够能量的过程,使得溅射金属原子被电离。然后可以使用电场使金属离子向晶片加速,在小几何结构中,形成更定向的沉积图案,从而获得更高的台阶覆盖率。
  • 源掩码优化(SMO)是一种用于光刻补偿由于像差引起的图像误差,衍射或工艺效应。
  • 一层硅绝缘体硅衬底半导体制造中的应用。SOI衬底提供减少寄生电容与内置于块状晶片中的装置相比,在集成电路中的相邻装置之间,能够降低功耗,从而提高设备性能。
  • 一种直接将阳光的能量转换成电能的装置。光伏的效果。多个单元连接在一起以形成模块.
  • 一个公用事业规模的光伏发电站。
  • 轻轻的掺杂区域扩展来源排水进入晶体管通道designed to spread out the electrical field during operation of a transistor device.没有延伸,非常小的晶体管中的电场可能足以损坏栅极电介质并导致器件失效。
  • 这个离子注入用于创建源-漏扩展名的过程是损伤工程.
  • 一种通过将统计技术应用于过程的监视和控制来改进制造中的质量控制的方法。
  • 固定冷却金属板,位于植入盘顶部,在过扫描.
  • 不同的时候食谱在A中使用许多为了实验目的提高特定工艺步骤的性能,这批被称为分批。
  • 一种在固体中喷射原子而沉积薄膜的方法。目标由于高能粒子轰击目标而产生的材料。
  • 光伏发电晶片制造,用专用工具把硅锭切割成矩形块的工艺线锯.方块,或砖块,然后在晶圆化过程。
  • 一种计算机存储器,其中每个位存储在通常由6或8个晶体管组成的网络中,该晶体管具有两个稳定状态。
  • SRAM cells are complex and consume more area on a chip than动态随机存取存储器细胞,但是速度更快,而且更加节能。
  • 微处理器和其他芯片的逻辑往往与SRAM单元模具使用高速缓冲存储器的制备,用于存储最频繁访问的指令和数据。
  • 特征两侧的膜厚与底部膜厚的比率(例如,在通孔中或在特征的顶部(例如,分别是FinFET)的鳍。
  • 用于传送刻度盘的设备(光掩模)pattern onto a wafer.相同的模式被转移到每个模式上死亡在晶片上。
  • 一种将每个晶体管或存储单元与其邻居隔离以防止电流泄漏的技术。该技术采用在硅中蚀刻的沟槽图案,填充有绝缘材料,如二氧化硅。
  • 半导体制造中通过扭曲晶体将应力引入晶体管和存储单元的过程。点阵.在逻辑学中,this enables electricity to move more easily through the transistor,提高晶体管性能。在记忆中,应变还可以减少泄漏电流,允许更高的细胞密度。
  • 一种用于钢丝锯这是形成,或卷曲的,为了增加切割速度而变成锯齿形或类似的轮廓。
  • 操纵薄膜所用的材料。Silicon is most commonly used for semiconductors and c-Si PV cells.玻璃通常用于LCD和薄膜光伏应用。
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T

  • 一种太阳能光伏电池类型,使用多种光转换材料以提高转换效率。串联结薄膜硅电池,例如,使用非晶态微晶的层。
  • 物理气相沉积,目标是要沉积的材料的来源。由于高能粒子的轰击,原子从靶中射出。
  • 掺杂金属氧化物薄膜用于光电子器件,如平板显示器,触摸板和光伏。在液晶显示器中,TCO层形成产生电场以使液晶极化的电极。在触摸面板中,TCO层用于传感电极。在光伏发电,TCO形成电池的顶部电极。
  • 一种透射电子显微镜,通过超薄样品传输电子束。它的工作原理与光学显微镜相同,但分辨率更高。
  • 用于氧化物沉积的液体源,正硅酸四乙酯是具有
    式Si(OC)H.
  • 终端效应是电化学沉积由此,在晶片边缘处沉积的薄膜趋向于比中心处厚。它源于电压降,电压降发生在负端子接触晶片边缘朝向中心的地方,由于晶片的电阻。这种阻力的主要组成部分是种子层通过以下方法沉积在晶片上物理气相沉积在电镀工艺之前。在每个技术节点处,种子层变薄,这增加了晶片的电阻率并加剧了终端效应。这种影响可以通过使用先进的电流密度控制系统来补偿,该电流密度控制系统可以调节施加在晶片上的电压,在晶片上形成均匀的沉积。
  • 一种类型的液晶显示器使用薄膜晶体管位于每个像素处以直接驱动液晶的偏振,从而控制该像素是否打开和关闭。
  • 从纳米到几微米厚的材料层。
  • MOSFET采用薄膜技术制造,主要用于有源矩阵液晶显示器的制造。
  • 晶圆的数量工具可以每小时处理一次。
  • 用于指半导体加工设备的术语。
  • 在半导体中,通过在晶片表面制造特征而产生的非平面性。由于步进器光学系统可能导致图案的部分超出规格。还用于描述由不同材料去除率引起的不均匀性。化学机械抛光.
  • 一种在典型矩形区域上检测触笔或手指的存在的计算机接口。
  • 通常与显示器集成以产生触摸屏.
  • 一种显示器,比如一个TFT-LCD阿莫勒合并了触摸屏使用户能够直接与显示的图像交互,而不是通过鼠标或跟踪球间接交互。
  • 工具集成了处理光致抗蚀剂(沉积)所需的几个步骤,软烘焙,曝光,发展,(硬烘焙)在半导体制造中。
  • 半导体器件,用于开关和放大作为集成电路基本元件的电子信号。
  • 在晶片上蚀刻的槽,用作器件结构的一部分。
  • 内置电容器沟槽在基板上。这种技术允许在不增加形成电容器所需的晶片面积的情况下增加电容。
  • 一种类型的二次真空泵用来产生高真空。高速涡轮叶片,与固定叶片交替,将气体分子压缩到泵底部,以便通过粗泵去除。
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U

  • 一种分辨率为3840×2160像素的数字视频格式。
  • 也被称为2160p和4K,UHD的像素数量是传统HD 1080p视频的四倍。
  • 半导体制造的一个领域,其着眼于减少交汇点形成来源排水先进的晶体管区域,以提高性能,同时保持可接受的漏电流和击穿电压。
  • 倒装芯片封装中的沉积过程,该封装用焊料凸点将模具连接到基板。
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V

  • 低于大气环境的压力,通常指特定的压力范围:
  • 粗真空,从大气到1x 10- 3托尔
  • 高真空,1×10- 3托尔比1×10- 9托尔
  • 超高真空(UHV)-低于1x 10- 9托尔
  • 离子注入,一种用于将固态离子源材料转换成气态用于离子束生产的装置。
  • 通过介质层的垂直路径,介质层之间形成电连接互连层。
  • 一个介于10之间的芯片,000和1,000,单个管芯上有000个晶体管。这个术语经常被扩展到描述具有任意数目大于10的晶体管的芯片,000。其他术语如超大规模集成(ULSI)被创造出来,但不再广泛使用。
  • 也称为3D NAND阵列。
  • 一类闪存在单个衬底上垂直分层多个二维存储单元阵列的结构(而不是使用晶片级封装
  • VNAND是一种递增的方法钻头密度不必减小每个单个细胞的大小。
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W

  • 薄的,单或的圆形或近方形切片多晶体制造半导体和光伏电池的硅。
  • 把硅锭或砖块分成晶片的过程。
  • 内衬由金属或石墨制成的保护性内衬,安装在波导管.不需要的离子物种在这些衬垫上放弃它们的能量。
  • 辊对辊涂布技术的另一个名称,在柔性材料卷上沉积材料薄膜。
  • 一种在工艺步骤之间使用液体化学从衬底去除不需要的材料或污染物的方法。
  • 能够均匀地铺展在固体表面而不是形成离散的液滴。
  • 在硅晶片的制造中,使用移动的线执行三个关键步骤的机器。
  1. 修剪-去除单晶硅锭的锥形端
  2. 现蕾-车削圆柱裁剪成矩形块锭,或砖头。在多晶硅晶圆制造,这个步骤用于将大铸锭切成砖。
  3. 晶圆-将砖切割成单个晶圆
  • 所有门之间的连接晶体管在存储器阵列段的特定行中。
  • 瓦特峰用于在理想辐照条件下输送的太阳能电池的电力的太阳能工业单元。
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Y

  • The percentage of product (e.g.(晶片或模具)在符合规格的工艺中生产。
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